Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronen-Transistoren aus Halbleiter-Heterostrukturen.pdf

Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronen-Transistoren aus Halbleiter-Heterostrukturen

Aurel Frhr. v. Campenhausen

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ber den Einfluss von isoelektronischen St rstellen auf ... Grenzfl¨achen innerhalb der Halbleiter-Heterostrukturen sind dabei noch Probleme, de-nen man durch geschicktes Design und verbesserte Wachstumsmethoden entgegenwirken kann. Sp¨atestens in einem (zugegeben utopischen) Gr ¨oßenbereich von einem Nanometer gelangt man allerdings an eine nat¨urliche Grenze, n¨amlich die des kovalenten Radius

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9783897128200 ISBN
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